半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱特別適用于半導體電子器件做溫度破壞測試，主要測試半導體電子器件材料結構在瞬間下經*溫及極低溫的連續(xù)沖擊環(huán)境下所能忍受的程度，得以在短時間內檢測試樣因熱脹冷縮所引起的化學變化或物理傷害。本試驗箱根據(jù)試驗需求及測試標準分為三箱式和兩箱式，區(qū)別在于試驗方式和內部結構不同。三箱式分為蓄冷室，蓄熱室和試驗室，產品在測試時是放置在試驗室。兩箱式分為高溫室和低溫室，是通過電機帶動提籃運動來實現(xiàn)高低溫的切換，產品放在提籃里，是隨提籃一起移動的。

質量優(yōu)勢：主要核心配件均采用*的配件如法國泰康或德國比澤爾壓縮機，控制器有韓國三元、日本OYO、中國臺灣臺通三*供客戶選擇，繼電器有日本路宮、和泉、三菱、施耐德，美國杜邦環(huán)保冷媒，丹麥(DANFOSS)、瑞典（AlfaLaval）等配件，假一罰十，能確保冷熱沖擊試驗箱長期正常高效的運行。

半導體器件（semiconductor device）通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結構是一個PN結。利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極管）。

半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱技術參數(shù)表：

冷熱沖擊試驗箱型號：LQ-TS-80A；LQ-TS-80B；LQ-TS-80C；LQ-TS-150A；LQ-TS-150B；LQ-TS-150C LQ-TS-250A；LQ-TS-250B；LQ-TS-250C；LQ-TS-1000A；LQ-TS-1000B；LQ-TS-1000C

標稱內容積（升）：80；150；250；300

試驗方式：氣動風門切換2溫室或3溫室方式

性能

高溫室預熱溫度范圍：＋60～＋200℃

升溫速率：＋60→＋200℃≤30分鐘

低溫室預冷溫度范圍：－75－0℃

降溫速率：＋20→－75℃≤30分鐘

試驗室溫度偏差：±2℃

溫度范圍TSL:（+60→+150）℃→（-40－-10）℃;

TSU:（+60～+150）℃～（-55～-10）℃;

TSS:（+60～+150）℃～（-65～-10）℃

溫度恢復時間※2 5分鐘以內

試樣擱架承載能力：30kg

試樣重量7.5kg；7.5kg；10kg；10kg

內部尺寸（mm）：W 500 600 700 1000

H 400 500 600 1000

D 400 500 600 1000

溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗箱單獨運轉時的性能。